วงจรไฟฟ้าแบบผสม

วงจรผสม
เป็นวงจรที่นำเอาวิธีการต่อแบบอนุกรม และวิธีการต่อแบบขนานมารวมให้เป็นวงจรเดียวกัน ซึ่งสามารถแบ่งตามลักษณะของการต่อได้ 2 ลักษณะดังนี้

วงจรผสมแบบอนุกรม-ขนาน เป็นการนำเครื่องใช้ไฟฟ้าหรือโหลดไปต่อกันอย่างอนุกรมก่อน แล้วจึงนำไปต่อกันแบบขนานอีกครั้งหนึ่ง

วงจรผสมแบบขนาน-อนุกรม เป็นการนำเครื่องใช้ไฟฟ้าหรือโหลดไปต่อกันอย่างขนานก่อน แล้วจึงนำไปต่อกันแบบอนุกรมอีกครั้งหนึ่ง

คุณสมบัติที่สำคัญของวงจรผสม
เป็นการนำเอาคุณสมบัติของวงจรอนุกรม และคุณสมบัติของวงจรขนานมารวมกัน ซึ่งหมายความว่าถ้าตำแหน่งที่มีการต่อแบบอนุกรม ก็เอาคุณสมบัติ ของวงจรการต่ออนุกรมมาพิจารณา ตำแหน่งใดที่มีการต่อแบบขนาน ก็เอาคุณสมบัติของวงจรการต่อขนานมาพิจารณาไปทีละขั้นตอน

วงจรไฟฟ้าคืออะไร??

วงจรไฟฟ้าคืออะไร

ในวงจรไฟฟ้าทั่ว ๆ ไปจะมีสิ่งที่มาเกี่ยวข้อง 3 อย่าง คือ กระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า และความต้านทานไฟฟ้า กระแสไฟฟ้าจะไหลไปได้หรือเคลื่อนที่ไปได้จะต้องมีตัวนำหรือสายไฟฟ้า และจะต้องมีกำลังดันหรือแรงเคลื่อนไฟฟ้า(V) ดันให้กระแสไฟฟ้าไหลไป จะมากหรือน้อยขึ้นอยู่กับเครื่องกำเนิดไฟฟ้า ตัวนำ และความต้านทานประกอบกัน วงจรไฟฟ้า คือ ทางเดินของไฟฟ้าเป็นวง ไฟฟ้าจะไหลไปตามตัวนำหรือสายไฟจนกระทั่งไหลกลับตามสายมายัง เครื่องกำเนิดไฟฟ้าเป็นวงครบรอบ คือ ออกจากเครื่องกำเนิดแล้วกลับมายังเครื่องกำเนิดอีกครั้งหนึ่ง จนครบ 1 เที่ยว เรียกว่า 1 วงจร หรือ 1 Cycle วงจรไฟฟ้า แบ่งออกเป็น 2 ประเภท คือ

1. วงจรปิด (Closed Circuit) จากรูปจะเห็น กระแสไฟฟ้าไหลออกจากแหล่งกำเนิด ผ่านไปตามสายไฟ แล้วผ่าน สวิทช์ไฟซี่งแตะกันอยู่ (ภาษาพูดว่าเปิดไฟ) แล้วกระแสไฟฟ้าไหลต่อไปผ่านดวงไฟ แล้วไหลกลับมาที่แหล่งกำเนิดอีกจะ เห็นได้ว่ากระแสไฟฟ้าสามารถไหลผ่านได้ครบวงจร หลอดไฟจึงติด

2. วงจรเปิด (Open Circuit) ถ้าดูตามรูป วงจรเปิด ไฟจะไม่ติดเพราะว่า ไฟออกจากแหล่งกำเนิดก็จะไหลไปตาม สายพอไปถึงสวิทช์ซึ่งเปิดห่างออกจากกัน (ภาษาพูดว่าปิดสวิทช์) ไฟฟ้าก็จะผ่านไปไม่ได้ กระแสไฟฟ้าไม่สามารถจะไหล ผ่านให้ครบวงจรได้

วงจรไฟฟ้า เป็นการนำเอาสายไฟฟ้าหรือตัวนำไฟฟ้าที่เป็นเส้นทางเดินให้กระแสไฟฟ้าสามารถไหลผ่านต่อถึงกันได้นั้นเราเรียกว่า วงจรไฟฟ้า การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่อยู่ภายในวงจรจะเริ่มจากแหล่งจ่ายไฟไปยังอุปกรณ์ไฟฟ้า

วงจรไฟฟ้า ประกอบด้วยส่วนที่สำคัญ 4 ส่วนคือ
แหล่งกำเนิดไฟฟ้า หมายถึง แหล่งจ่ายไฟฟ้าไปยังวงจรไฟฟ้า เช่น แบบเตอรี่
ตัวนำไฟฟ้า หมายถึง สายไฟฟ้าหรือสื่อที่จะเป็นตัวนำให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านไปยังเครื่องใช้ไฟฟ้า ซึ่งต่อระหว่างแหล่งกำเนิดกับเครื่องใช้ไฟฟ้า
เครื่องใช้ไฟฟ้า หมายถึง เครื่องใช้ที่สามารถเปลี่ยนพลังงานไฟฟ้าให้เป็นพลังงานรูปอื่น ซี่งจะเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า โหลด
สะพานไฟ (Cut out) หรือสวิทช์ (Switch) เป็นตัวตัดและต่อกระแสไฟฟ้า วงจรไฟฟ้ากระแสตรง

การแสดงการต่อวงจรไฟฟ้าเบื้องต้นโดยการต่อแบตเตอรี่ต่อเข้ากับหลอดไฟ หลอดไฟฟ้าสว่างได้เพราะว่ากระแสไฟฟ้าสามารถไหลได้ตลอดทั้งวงจรไฟฟ้าและเมื่อหลอดไฟฟ้าดับก็เพราะว่ากระแสไฟฟ้าไม่สามารถไหลได้ตลอดทั้งวงจร เนื่องจากสวิตซ์เปิดวงจรไฟฟ้าอยู่นั่นเอง การต่อวงจรไฟฟ้ากระแสตรงต้องต่อขั้วไฟให้ถูกต้องเพราะอุปกรณ์ในวงจรดังกล่าวจะมีขั้วไฟดังแสดงในรูป

วงจรไฟฟ้ากระสลับ
การต่อวงจรไฟฟ้ากระแสสลับจะต้องต่ออุปกรณ์ได้โดยไม่คำนึงถึงขั้วไฟ

..." วงจรไฟฟ้าแบบอนุกรม และ แบบขนาน

... " วงจรไฟฟ้าแบบอนุกรม " ...

วงจรอนุกรม

เป็นการนำเอาเครื่องใช้ไฟฟ้าหรือโหลดหลายๆ อันมาต่อเรียงกันไปเหมือนลูกโซ่ กล่าวคือ ปลายของเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวที่ 1 นำไปต่อกับต้นของเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวที่ 2 และต่อเรียงกันไปเรื่อยๆ จนหมด แล้วนำไปต่อเข้ากับแหล่งกำเนิด การต่อวงจรแบบอนุกรมจะมีทางเดินของกระแสไฟฟ้าได้ทางเดียวเท่านั้น ถ้าเกิดเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวใดตัวหนึ่งเปิดวงจรหรือขาด จะทำให้วงจรทั้งหมดไม่ทำงาน

คุณสมบัติที่สำคัญของวงจรอนุกรม

1. กระแสไฟฟ้าจะไหลผ่านเท่ากันและมีทิศทางเดียวกันตลอดทั้งวงจร

2. ความต้านทานรวมของวงจรจะมีค่าเท่ากับผลรวมของความต้านทานแต่ละตัวในวงจรรวมกัน

3. แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมส่วนต่างๆ ของวงจร เมื่อนำมารวมกันแล้วจะเท่ากับแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งกำเนิด

การต่อวงจรไฟฟ้า

การต่อวงจรไฟฟ้าสามารถจำแนกตามการใช้งานได้ 2 แบบ คือ แบบอนุกรม และแบบขนาน

วงจรอนุกรม

วงจรอนุกรม คือวงจรที่ประกอบด้วยความต้านทานตั้งแต่ 2 ตัวขึ้นไปต่อเรียงกัน โดยมีทางเดินของกระแสไฟฟ้าไหลผ่านทางเดียวไม่ได้แยกไหลไปส่วนอื่นของวงจร การต่อวงจรอนุกรมทำได้โดยนำขั้วต่อสายข้างหนึ่งของเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวที่ 1 ไปต่อเข้ากับขั้วต่อของเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวที่ 2 นำขั้วต่ออีกข้างหนึ่งของตัวที่ 2 ไปต่อเข้ากับขั้วต่อสายตัวที่ 3 ต่ออย่างนี้ไปเรื่อย ๆจนกว่าจะครบเสร็จแล้วนำขั้วต่อสายที่เหลือของเครื่องใช้ไฟฟ้าตัวสุดท้ายมาต่อเข้ากับปุ่มหนึ่งของแหล่งกำเนิด เราก็ได้วงจรครบเพื่อใช้งาน ดังรูป

รูปการต่อหลอดไฟแบบอนุกรม

การต่อวงจรอนุกรมจะใช้หลอดไฟฟ้าหรือความต้านทานหรืออุปกรณ์ไฟฟ้ามาต่อกันเข้าแบบอนุกรมแล้วต่อเข้ากับขั้วแหล่งกำเนิดแรงดันไฟฟ้า หรือแบตเตอรี่ เพื่อให้เกิดการไหลของกระแสในทิศทางเดียว อุปกรณ์เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ต่อแบบอนุกรม เช่นวงจรจุดไส้หลอดวิทยุซึ่งเมื่อไส้หลอดใดหลอดหนึ่งดับ อุปกรณ์จะไม่ทำงาน และเตารีดไฟฟ้า ซึ่งมีฟิวส์ สวิตช์และ Thermostat ต่อกันแบบอนุกรม เป็นต้น

รูปการต่อความต้านทานแบบอนุกรม

วงจรขนาน

วงจรขนาน เป็นวงจรไฟฟ้าที่ต่อความต้านทานหรืออุปกรณ์ไฟฟ้าเครื่องใช้ไฟฟ้าต่าง ๆ แต่ละตัวคร่อมกับแหล่งกำเนิดของวงจร

รูปการต่อวงจรแบบขนาน

ทำให้เกิดการไหลของกระแสไฟฟ้าหลายทาง ผลรวมของกระแสที่จ่ายออกไปจะเท่ากับผลรวมของกระแสที่ไหลในแต่ละส่วนของวงจรรวมกัน และแรงดันที่ตกคร่อมอุปกรณ์ไฟฟ้าทุกตัวจะเท่ากัน แม้ว่าอุปกรณ์เครื่องใช้ไฟฟ้าเหล่านั้นจะมีขนาดไม่เท่ากันก็ตาม

ทรานซิสเตอร์ ... : ))

... " ทรานซิสเตอร์ "...

....ทรานซิสเตอร์สร้างมาจากวัสดุประเภทสารกึ่งตัวนำชนิด P และชนิด N มารวมกันโดยทำให้เกิดรอยต่อระหว่างเนื้อสารนี่สองรอยต่อ โดยสามารถจัดทรานซิสเตอร์ได้ 2 ชนิด คือ

1. ทรานซิสเตอร์ชนิด NPN
2. ทรานซิสเตอร์ชนิด PNP

รอยต่อจากเนื้อสารทั้ง 3 นี้ มีจุดต่อเป็นขาทรานซิสเตอร์ เพื่อใช้เชื่อมโยงหรือบัดกรีกับอุปกรณ์อื่นดังนั้นทรานซิสเตอร์จึงมี 3 ขา มีชื่อเรียกว่า คอลเลคเตอร์ (สัญลักษณ์ C ) อิมิตเตอร์ (สัญลักษณ์ E ) และ เบส (สัญลักษณ์ B ) รูปร่างโครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ดังรูป

โครงสร้างทรานซิสเตอร์ PNP โครงสร้างทรานซิสเตอร์ NPN

ทรานซิสเตอร์ PNP ทรานซิสเตอร์ NPN

การสร้างทรานซิสเตอร์

การสร้างทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN และ PNP จะทำการเชื่อมส่วนที่ได้รับการโตปที่แตกต่างกันทั้ง 3 ส่วน ด้วยกระบวนการที่เรียกว่า การแพร่กระจาย ตัวอย่าง เช่น การสร้างทรานซิสเตอร์ประเภท NPN การบวนการสร้างจะเริ่มจากการแพร่กระจายส่วนที่เป็น p-type ของเบสเข้ากับส่วนที่เป็น n-type ของคอลเลคเตอร์ หลังจากส่วนของเบสที่เป็น p-type เริ่มเข้ารูปก็จะทำการแพร่กระจายส่วนที่เป็น n-type ของอิมิตเตอร์ให้เข้ากับส่วนที่เป็น p-type ของเบส ก็จะได้ทรานซิสเตอร์ NPN ที่เสร็จสมบูรณ์

รูปลักษณะของทรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์แบบ Low Power จะบรรจุอยู่ในตัวถังที่เป็นโลหะพลาสติกหรืออีป๊อกซี รูปลักษณะของทรานซิสเตอร์ประเภท Low Power ทั้ง 4 ชนิด แสดงดังรูป

โดยจะมีลวดตัวนำยื่นออกมาจากส่วนล่างของตัวถัง เหตุผลที่ถูกออกแบบในลักษณะนี้เนื่องจาก เมื่อใช้ทรานซิสเตอร์ประเภทนี้ในวงจรจะต้องเสียบขาทรานซิสเตอร์ในช่องเสียบบนแผ่นวงจรก่อนที่จะทำการบัดกรี
ทรานซิสเตอร์แบบ High Power ดังแสดงในรูป ทรานซิสเตอร์ประเภทนี้ถูกออกแบบเพื่อให้สามารถติดตั้งโครงสร้างที่เป็นโลหะ ทั้งนี้เพื่อให้โลหะที่ทรานซิสเตอร์ติดตั้งอยู่ทำหน้าที่ระบายความร้อนให้กับทรานซิสเตอร์ประเภทนี้ สำหรับลวดตัวนำที่ต่อยื่นออกมาจะเป็นขาต่าง ๆ ของทรานซิสเตอร์ ถ้าในกรณีที่มี 2 ขา โดยขาที่ยื่นออกมาจะหมายถึง ขาเบส และขาอิมิตเตอร์ ส่วนตัวถังจะทำหน้าที่เป็นขาคอลเลคเตอร์

การทำงานของทรานซิสเตอร์

รูปแสดงทรานซิสเตอร์ชนิด NPN และชนิด PNP จากภาพขยายจะเห็นว่าทรานซิสเตอร์นั้นจะประกอบด้วยไดโอดจำนวน 2 ตัว ได้แก่ เบส - คอลเลคเตอร์ไดโอด และเบส-อิมิตเตอร์ไดโอด โดยเมื่อเป็นทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ไดโอดทั้งสองจะต่อกันแบบหลังชนหลัง แต่ถ้าเป็นทรานซิสเตอร์ชนิด PNP ไดโอดทั้งสองจะชี้เข้าไปยังขาเบส

ทรานซิสเตอร์ที่ทำงานเป็นสวิตถ์

การนำทรานซิสเตอร์ไปใช้งานเป็นสวิตซ์การปิดเปิดวงจรของทรานซิสเตอร์จะถูกควบคุมโดยเบส-อิมิตเตอร์ไดโอด (B-E) นั่นคือ เมื่อ เบส-อิมิตเตอร์ไดโอด ได้รับไบอัสตรงทรานซิสเตอร์จะอยู่สภาวะ ON แต่ถ้าเบส-อิมิตเตอร์ไดโอดได้รับไบอัสกลับทรานซิสเตอร์ก็จะอยู่ในสภาวะ OFF

โดยการป้อนกระแสเบส ( IB ) ให้กับเบสของทรานซิสเตอร์ เพื่อให้รอยต่อระหว่างคอลเลคเตอร์กับ อิมิตเตอร์นำกระแสได้ และต้องจ่ายกระแสเบสให้ทรานซิสเตอร์นำกระแสจนอิ่มตัวจะเกิดกระแสไหลผ่านรอยต่อคอลเลคเตอร์กับอิมิตเตอร์ เปรียบได้ว่าสวิตซ์ระหว่างจุด C และ E ทำงานได้

ดังรูปเมื่อหยุดปล่อยกระแสเบสให้กับเบสของทรานซิสเตอร์จะไม่สามารถทำงานเป็นสวิตซ์ได้ กระแสคอลเลคเตอร์จะไม่ไหลผ่านรอยต่อไปสู่อิมิตเตอร์ ( IC = 0 ) ขณะนี้ทรานซิสเตอร์จะอยู่ในสภาวะคัตออฟ เปรียบได้ว่าสวิตซ์ระหว่างจุด C และ E เปิดสวิตซ์ระหว่างจุด C และ E เปิดสวิตซ์ทำงานไม่ได้

ทรานซิสเตอร์ที่ทำงานเป็นตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้

การใช้งานทรานซิสเตอร์นอกจากจะใช้เป็นสวิตซ์เปิดปิดวงจรแล้วความสามารถด้านอื่นของทรานซิสเตอร์ คือ ใช้เป็นตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้ โดยมีวงจรสมมูลดังรูป

ที่ผ่านมาจะเห็นได้ว่าแรงดันไฟฟ้า +5 V ที่เบสอินพุตทำให้เกิดค่าความต้านทานต่ำระหว่างอิมิตเตอร์และคอลเลคเตอร์ (ปิดสวิตซ์) และเมื่อให้แรงดันไฟฟ้า O V จ่ายเข้าที่เบสอินพุต กลับทำให้เกิดค่าความต้านทานสูงระหว่างอิมิตเตอร์และคอลเลคเตอร์ (เปิดสวิตซ์)

การจัดไบอัสให้กับทรานซิสเตอร์

จากที่ทราบแล้วว่าไดโอดชนิดรอยต่อ P-N เมื่อได้รับไบอัสตรงจะยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้แต่ถ้าได้รับการไบอัสกลับไดโอดจะแสดงคุณสมบัติต้านการไหลของกระแสไฟฟ้า สำหรับทรานซิสเตอร์ก็เช่นเดียวกัน จะต้องได้รับการไบอัสที่เหมาะสมจึงจะทำให้ทรานซิสเตอร์ทำงานได้ถูกต้อง

รูปการไบอัสทรานซิสเตอร์ NPN และ PNP

จะเห็นว่าขาเบสและอิมิตเตอร์ได้รับการไบอัสตรง ขณะที่ขาเบสและคอลเลคเตอร์ได้รับการไบอัสกลับ เพราะว่าขาเบสกับขาอิมิตเตอร์เป็นวงจรอินพุต และขาเบสกับคอลเลคเตอร์เป็นวงจรเอาท์พุต

การจัดไบอัสให้แก่ทรานซิสเตอร์ชนิด NPN

พิจารณาการทำงานของทรานซิสเตอร์กชนิด NPN ตามรูป

เมื่อให้ไบอัสตรงกับรอยต่อ BE จะทำให้บริเวณปปลอดพาหะที่รอยต่อ BE แคบลงและที่รอยต่อระหว่าง BC ได้ไบอัสกลับจะทำให้บริเวณปลอดพาหะที่รอยต่อ BC มีความกว้างมากขึ้น

จึงเกิดกระแสจำนวนเล็กน้อยไหลข้ามรอยต่อ BE จึงเรียกกระแสนี้ว่า กระแสเบส ( IB ) เป็นผลให้มีอิเล็กตรอนจำนวนหนึ่งเคลื่อนที่ในรอยต่อ BE

ในขณะเดียวกันที่คอลเลคเตอร์บริเวณรอยต่อ BC จะมีประจุพาหะบวกอยู่จำนวนมากจะพยายามดึงอิเล็กตรอนที่เบสข้ามรอยต่อ BC ทำให้เกิดกระแสคอลเลคเตอร์ ( IC ) ไหลเป็นจำนวนมาก และไหลออกจากคอลเลคเตอร์มารวมกับกระแสเบส ( IB ) กระแสทั้งสองจำนวนนี้จะไหลไปสู่ขาอิมิตเตอร์เป็นกระแสอิมิตเตอร์ ( IE ) เป็นไปตามสมการ

รูปแบบการต่อใช้งานของทรานซิสเตอร์

ถึงแม้ว่าทรานซิสเตอร์จะถูกนำไปใช้งานในวงจรต่าง ๆ มากมาย แต่วงจรเหล่านั้นก็ยังสามารถที่จะจัดแยกออกเป็นกลุ่มได้ 3 รูปแบบ ดังนี้
1. วงจรอิมิตเตอร์ร่วม C- E (Common - Emitter)

สัญญาณอินพุตจะถูกป้อนเข้ามาระหว่างขาเบส และขาอิมิตเตอร์ ในขณะที่สัญญาณเอาต์พุตจะปรากฏระหว่างขาคอลเลคเตอร์และขาอิมิตเตอร์ จากการจัดรูปแบบของวงจรในลักษณะนี้ จะเห็นว่าสัญญาณอินพุตจะเป็นตัวควบคุมกระแสเบสของทรานซิสเตอร์ซึ่งก็จะเป็นการควบคุมกระแสคอลเลคเตอร์ซึ่อเป็นเอาต์พุตของวงจรด้วย ส่วนขาอิมิตเตอร์จะขาร่วม ( Common)

2. วงจรเบสร่วม C-E ( Common - Bars )

สัญญาณอินพุตจะถูกป้อนเข้าระหว่างขาอิมิตเตอร์และขาเบส โดยสัญญาณเอาต์พุตจะไปปรากฏคร่อมอยู่ระหว่างขาคอลเลคเตอร์และขาเบส ส่วนขาเบสของวงจรรูปแบบนี้จะใช้เป็นขาร่วม (Common ) ให้กับทั้งอินพุตและเอาต์พุต

3. วงจรคอลเลคเตอร์ร่วม C-C ( Common - Collector )

โดยสัญญาณอินพุตจะถูกป้อนเข้ามาระหว่างขาเบส และขาคอลเลคเตอร์ส่วนสัญญาณเอาต์พุตที่ได้จะไปปรากฏคร่อมขาอิมิตเตอร์ และขาคอลเลคเตอร์โดยจะใช้ขาคอลเลคเตอร์เป็นขาร่วม (Common ) ของทั้งอินพุตและเอาต์พุต

การทดสอบทรานซิสเตอร์

การทดสอบทรานซิสเตอร์ด้วยโอห์มมิเตอร์
ความผิดพลาดที่เกิดจากทรานซิสเตอร์ที่พบเสมอคือ การจัดวงจร และการเปิดวงจรระหว่างรอยต่อของสารกึ่งตัวนำของทรานซิสเตอร์

จากรูปจะเห็นว่า ถ้าให้ไบอัสกลับแก่อิมิตเตอร์ไดโอดและคอลเลคเตอร์ไดโอดของทรานซิสเตอร์ ความต้านทานจะมีค่าสูง แต่ถ้าความต้านทานมีค่าต่ำให้สันนิษฐานว่ารอยต่อระหว่างขาของทรานซิสเตอร์เกิดลัดวงจร ในทำนองเดียวกันถ้าไบอัสตรงแล้ววัดค่าความต้านทานได้สูงก็ให้สันนิษฐานว่ารอยต่อระหว่างขาเกิดลัดวงจร

การทดสอบเพื่อหาตำแหน่งขาทรานซิสเตอร์
ในการพิสูจน์หาตำแหน่งของทรานซิสเตอร์ โดยการสังเกตดูว่า ขาใดอยู่ใกล้กับขอบเดือยเป็นขา E ขาที่อยู่ตรงข้ามเป็นขา C ส่วนตำแหน่งกลางคือขา B

การทดสอบหาชนิดของทรานซิสเตอร์ NPN และ PNP

1. เลือกขาตำแหน่งกลาง แล้วสมมุติให้เป็นขาเบส จากนั้นนำสายวัด(--) ของโอห์มมิเตอร์มาแตะที่ขาเบส ส่วนสายวัด ( + ) ให้นำมาแตะกับสองขาที่เหลือ
2. ถ้าความต้านทานที่อ่านได้จากการแตะขาทั้งสองมีค่าต่ำ สรุปได้ทันทีว่า ขาที่ตำแหน่งกลางเป็นขาเบส และทรานซิสเตอร์ที่ทำการวัดนี้เป็นชนิด PNP
3. สำหรับขาอิมิตเตอร์ คือ ขาที่อยู่ใกล้ตำแหน่งเดือย และขาที่เหลือคือขาคอลเลคเตอร์นั่นเอง
4. ถ้าความต้านทานที่อ่านได้มีค่าสูงให้สลับสายวัด
5. ถ้าความต้านทานที่อ่านได้จากการแตะขาทั้งสองมีค่าต่ำ สรุปได้ทันที ขาตำแหน่งกลางคือขาเบส และเป็นทรานซิสเตอร์ชนิด NPN
6. ถ้าหากว่าความต้านทานต่ำไม่ปรากฏในทั้งสองกรณี ให้เปลี่ยนเลือกขาอื่นเป็นขาเบส

ทรานซิสเตอร์ (TRANSISTOR) คือ สิ่งประดิษฐ์ทำจากสารกึ่งตัวนำมีสามขา (TRREE LEADS) กระแสหรือแรงเคลื่อน เพียงเล็กน้อยที่ขาหนึ่งจะควบคุมกระแสที่มีปริมาณมากที่ไหลผ่านขาทั้งสองข้างได้ หมายความว่าทรานซิสเตอร์เป็นทั้งเครื่องขยาย (AMPLIFIER) และสวิทซ์ทรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อเรียกด้ายตัวย่อว่า BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) ทรานซิสเตอร์ (BJT) ถูกนำไปใช้งานอย่างแพร่หลาย เช่น วงจรขยายในเครื่องรับวิทยุและเครี่องรับโทรทัศน์หรือนำไปใช้ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่ทำหน้าที่เป็นสวิทซ์ (Switching) เช่น เปิด-ปิด รีเลย์ (Relay) เพื่อควบคุมอุปกรณ์ไฟฟ้าอื่น ๆ เป็นต้น

รูปที่1 ทรานซิสเตอร์

โครงสร้างของทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อหรือ BJT นี้ ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิดพีและเอ็นต่อกัน โดยการเติมสารเจือปน (Doping) จำนวน 3 ชั้นทำให้เกิดรอยต่อ (Junction) ขึ้นจำนวน 2 รอยต่อ การสร้างทรานซิสเตอร์จึงสร้างได้ 2 ชนิด คือ ชนิดที่มีสารชนิด N 2 ชั้น เรียกว่าชนิด NPN และชนิดที่มีสารชนิด P 2 ชั้น เรียกว่าชนิด PNP โครงสร้างของทรานซิสชนิด NPN และชนิด PNP แสดงดังรูปที่2

รูปที่ 2 โครงสร้างของทรานซิสเตอร์

เมื่อพิจารณาจากรูปจะเห็นว่าโครงสร้างของทรานซิสเตอร์จะมีสารกึ่งตัวนำ 3 ชั้น แต่ละชั้นจะต่อลวดตัวนำจากเนื้อสารกึ่งตัวนำไปใช้งาน ชั้นที่เล็กที่สุด (บางที่สุด) เรียกว่า เบส (Base) ตัวอักษรย่อ B สำหรับสารกึ่งตัวนำชั้นที่เหลือคือ คอลเลกเตอร์ (collector หรือ c) และอิมิตเตอร์ (Emitter หรือ E) นั่นคือทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN จะมี 3 ขา คือ ขาเบส ขาคอลเลกเตอร์ ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์นิยมเขียนทรานซิสเตอร์แทนด้วยสัญลักษณ์ดังรูปที่ 3

รูปที่ 3 สัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์

การทำงานเบื้องต้นของทรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN และ PNP เมื่อนำไปใช้งานไม่ว่าจะใช้ในวงจรขยายสัญญาณ (Amplifier) หรือทำงานเป็นสวิตช์ จะต้องทำการไบอัสให้ทรานซิสเตอร์ทำงานได้ โดยใช้หลักการไบอัสดังนี้
1. ไบอัสตรงให้กับรอยต่อระหว่างอิมิตเตอร์กับเบส
2. ไบอัสกลับให้กับรอยต่อระหว่างคอลเลกเตอร์กับเบสดังแสดงในรูป 4

รูปที่ 4 แสดงการไบอัสทรานซิสเตอร์

พิจารณาการไบอัสทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ดังรูปที่ 5(a) จะเห็นว่าทำการไบอัสตรงให้กับรอยต่ออิมิตเตอร์-เบส โดยให้ศักดาบวกกับเบส (เพราะเบสเป็น P) และให้ศักดาลบกับอิมิตเตอร์ (เพราะอิมิตเตอร์เป็น N) เช่นเดียวกันต้องให้ไบอัสกลับกับรอยต่อคอลเลกเตอร์-เบส โดยให้ศักดาบวกกับคอลเลกเตอร์ (เพราะคอลเลกเตอร์เป็น N ) และให้ศักดาลบกับเบส (เพราะเบสเป็น P) นี่คือการไบอัสทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ที่ถูกต้องตามเงื่อนไข 2 ข้อที่กำหนดไว้
การไบอ้สทรานซิสเตอร์ชนิด PNP ก็กระทำเช่นเดียวกันดังรูปที่ 5(b) ทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN และ PNP เมื่อได้รับไบอัสที่ถูกต้องแล้วจะเกิดกระเสเบส (IB) กระแสคอลเลกเตอร์ (IC) และกระแสอิมิตเตอร์ (IE) ไหลผ่านรอยต่อดังรูปที่ 5

รูปที่ 5 แสดงทิศทางกระแสที่เกิดจากการไบอัสที่ถูกต้อง

..." ไดโอด "...

...." ไดโอด (Diode) "....

ไดโอด (อังกฤษ: diode) เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ชนิดหนึ่ง ที่ออกแบบและควบคุมทิศทางการไหลของประจุไฟฟ้า มันจะยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลในทิศทางเดียว และกั้นการไหลในทิศทางตรงกันข้าม ดังนั้นจึงอาจถือว่าไดโอดเป็นวาล์วตรวจสอบแบบอิเล็กทรอนิกส์อย่างหนึ่ง ซึ่งนับเป็นประโยชน์อย่างมากในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ใช้เป็นเรียงกระแสไฟฟ้าในวงจรภาคจ่ายไฟ เป็นต้น

ไดโอดตัวแรกเป็นอุปกรณ์หลอดสูญญากาศ (vacuum tube หรือ valves) แต่ทุกวันนี้ไดโอดที่ใช้ทั่วไปส่วนใหญ่ผลิตจากสารกึ่งตัวนำ เช่น ซิลิกอน หรือ เจอร์เมเนียม

ไดโอดเป็นอุปกรณ์ที่ทำจากสารกึ่งตัวนำ p - n สามารถควบคุมให้กระแสไฟฟ้าจากภายนอกไหลผ่านตัวมันได้ทิศทางเดียว ไดโอดประกอบด้วยขั้ว 2 ขั้ว คือ แอโนด (Anode; A) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด p และ แคโธด (Cathode; K) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด n

ประเภทของไดโอด

1. ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode)

ซีเนอร์ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นำกระแสได้เมื่อได้รับไบอัสกลับ และระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้เรียกว่า ระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ซีเนอร์ไดโอดจะมีแรงดันไบอัสกลับ (Vr)น้อยกว่า Vz เล็กน้อย ไดโอดประเภทนี้เหมาะที่จะนำไปใช้ควบคุมแรงดันที่โหลดหรือวงจรที่ต้องการแรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยู่ในแหล่งจ่ายไฟเลี้ยง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร์

2. ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคป (Varactor or Varicap Diode)

ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคปเป็นไดโอดที่มีลักษณะพิเศษ คือ สามารถปรับค่าคาปาซิแตนซ์เชื่อมต่อ (Ct) ได้โดยการปรับค่าแรงดันไบอัสกลับ ไดโอดประเภทนี้มีโครงสร้างเหมือนกับไดโอดทั่วไป ขณะแรงดันไบอัสกลับ (Reverse Bias Voltage ; Vr) มีค่าต่ำ Depletion Region จะแคบลงทำให้ Ct ครงรอบต่อมีค่าสูง แต่ในทางตรงข้ามถ้าเราปรับ Vr ให้สูงขึ้น Depletion Region จะขยายกว้างขึ้น ทำให้ Ct มีค่าต่ำ จากลักษณะดังกล่าว เราจึงนำวาริแคปไปใช้ในวงจรปรับความถี่ เช่น วงจรจูนความถี่อัตโนมัติ (Automatic Fine Tunning ; AFC) และวงจรกรองความถี่ซึ่งปรับช่วงความถี่ได้ตามต้องการ (Variable Bandpass Filter) เป็นต้น

3. ไดโอดเปล่งแสงหรือแอลซีดี (Light Emitting Diode ; LED)

LED เป็นไดโอดที่ใช้สารประเภทแกลเลี่ยมอาร์เซ็นไนต์ฟอสไฟต์ (Gallium Arsenide Phosphide ; GaAsP) หรือสารแกลเลี่ยมฟอสไฟต์ (Gallium Phosphide ; GaP) มาทำเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge สารเหล่านี้มีคุณลักษณะพิเศษ คือ สามารถเรืองแสงได้เมื่อได้รับไบอัสตรง การเกิดแสงที่ตัว LED นี้เราเรียกว่า อิเล็กโทรลูมินิเซนต์ (Electroluminescence) ปัจจุบันนิยมใช้ LED แสดงผลในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ เช่น เครื่องคิดเลข,นาฬิกา เป็นต้น

ไดโอดเปล่งแสง (อังกฤษ: light-emitting diode หรือย่อว่า LED) เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างหนึ่ง จัดอยู่ในจำพวกไดโอด ที่สามารถเปล่งแสงในช่วงสเปกตรัมแคบ เมื่อถูกไบอัสทางไฟฟ้าในทิศทางไปข้างหน้า ปรากฏการณ์นี้อยู่ในรูปของ electroluminescence สีของแสงที่เปล่งออกมานั้นขึ้นอยู่กับองค์ประกอบทางเคมีของวัสดุกึ่งตัวนำที่ใช้ และเปล่งแสงได้ใกล้ช่วงอัลตราไวโอเลต ช่วงแสงที่มองเห็น และช่วงอินฟราเรด ผู้พัฒนาไดโอดเปล่งแสงขึ้นเป็นคนแรก คือ นิก โฮโลยัก (Nick Holonyak Jr.) (เกิด ค.ศ. 1928) แห่งบริษัทเจเนรัล อิเล็กทริก (General Electric Company) โดยได้พัฒนาไดโอดเปล่งแสงในช่วงแสงที่มองเห็น และสามารถใช้งานได้ในเชิงปฏิบัติเป็นครั้งแรก เมื่อ ค.ศ. 1962

parameter ต่างๆในการในการเลือกใช้ LED

color (wavelength)

เป็นตัวบอกสี ซึ่งหมายถึงขนาดของความยาวคลื่นที่ LED เปล่งแสงออกมา เช่น

• สีฟ้า จะมีความยาวคลื่น ประมาณ 468nm
• สีขาว จะมีความยาวคลื่น ประมาณ 462nm
• สีเหลือง จะมีความยาวคลื่น ประมาณ 468nm
• สีเขียว จะมีความยาวคลื่น ประมาณ 565nm
• สีแดง จะมีความยาวคลื่น ประมาณ 630nm เป็นต้น

lens

เป็นตัวบอกประเภทและวัสดุที่ใช้ทำ เช่น

1. color diffused lens
2. water clear lens

millicandela rating

เป็นตัวบอกค่าความสว่างของแสงที่ LED เปล่งออกมา ยิ่งมีค่ามากยิ่งสว่างมาก

voltage rating

อัตตราการทนแรงดันไฟฟ้า ที่ LED รับได้และไม่พัง

4. โฟโตไดโอด (Photo Diode)

โฟโตไดโอด เป็นไดโอดที่อาศัยแสงจากภายนอกผ่านเลนซ์ ซึ่งฝังตัวอยู่ระหว่างรอยต่อ p-n เพื่อกระตุ้นให้ไดโอดทำงาน การต่อโฟโตไดโอดเพื่อใช้งานจะเป็นแบบไบอัสกลับ ทั้งนี้เพราะไม่ต้องการให้โฟโตไดโอดทำงานในทันทีทันใด แต่ต้องการให้ไดโอดทำงานเฉพาะเมื่อมีปริมาณแสงสว่างมากพอตามที่กำหนดเสียก่อน กล่าวคือ เมื่อเลนซ์ของโฟโตไดโอดได้รับแสงสว่างจะเกิดกระแสรั่วไหล ปริมาณกระแสรั่วไหลนี้เพิ่มขึ้นตามความเข้มของแสง

5.ไดโอดกำลัง (Power Diode)

ไดโอดกำลัง เป็นไดโอดที่ออกแบบให้บริเวณรอยต่อมีช่วงกว้างมากกว่าไดโอดทั่วไป เพื่อนำไปใช้กับงานที่มีกำลังไฟฟ้าสูงกระแสสูงและทนต่ออุณหภูมิสุงได้ เช่น ประกอบเป็นวงจรเรียงกระแส ในอิเล็กทรอนิกส์กำลัง เป็นต้น จะเห็นได้ว่าเมื่อพิกัดกระแสไฟฟ้ามีค่าหลายร้อยแอมป์ ทำให้ไดโอดมีอุณหภูมิขณะทำงานสูง โดยทั่วไปจึงนิยมใช้ร่วมกับตัวระบายความรัอน (Heat Sinks)เพื่อเพิ่มพื้นที่ระบายความรัอนภายในตัวไดโอดกำลัง

ไดโอดในทางอุดมคติ

ไดโอดในอุดมคติ (Ideal Diode) มีลักษณะเหมือนสวิตช์ที่สามารถนำกระแสไหลผ่านได้ในทิศทางเดียว ถ้าต่อขั้วแบตเตอรี่ให้เป็นแบบไบอัสตรงไดโอดจะเปรียบเป็นเสมือนกับสวิตช์ที่ปิด (Close Switch) หรือไดโอดลัดวงจร (Short Circuit) Id ไหลผ่านไดโอดได้ แต่ถ้าต่อขั้วแบตเตอรีแบบไบอัสกลับ ไดโอดจะเปรียบเป็นเสมือนสวิตช์เปิด (Open Switch) หรือเปิดวงจร (Open Circuit) ทำให้ Id เท่ากับศูนย์

ไดโอดในทางปฏิบัติ

ไดโอดในทางปฏิบัติ (Practical Diode) มีการแพร่กระจายของพาหะส่วนน้อยที่บริเวณรอยต่ออยู่จำนวนหนึ่ง ดังนั้น ถ้าต่อไบอัสตรงให้กับไดโอดในทางปฏิบัติก็จะเกิด แรงดันเสมือน (Ge >= 0.3V ; Si >= 0.7V) ซึ่งต้านแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายเพื่อการไบอัสตรง ขนาดของแรงดันเสมือนจึงเป็นตัวบอกจุดทำงาน ดังนั้น จึงเรียก "แรงดันเสมือน" อีกอย่างหนึ่งว่า "แรงดันในการเปิด" (Turn-on Voltage ; Vt )

กรณีไบอัสกลับ เราทราบว่า Depletion Region จะขยายกว้างขึ้น แต่ก็ยังมีพาหะข้างน้อยแพร่กระจายที่รอยต่ออยู่จำนวนหนึ่ง แต่ก็ยังมีกระแสรั่วไหลอยู่จำนวนหนึ่ง เรียกว่า กระแสรั่วไหล (Leakage Current) เมื่อเพิ่มแรงดันไฟฟ้าขึ้นเรื่อยๆ กระแสรั่วไหลจะเพิ่มขึ้นจนถึงจุดทีไดโอดนำกระแสเพิ่มขึ้นมาก ระดับกระแสที่จุดนี้ เรียกว่า "กระแสอิ่มตัวย้อนกลับ" (Reverse Saturation Current ; Is ) แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้ เรียกว่า แรงดันพังทลาย (Breakdown Voltage) และถ้าแรงดันไบอัสสูงขึ้นจนถึงจุดสูงสุดที่ไดโอดทนได้ เราเรียกว่า "แรงดันพังทลายซีเนอร์" (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ถ้าแรงดันไบอัสกลับสูงกว่า Vz จะเกิดความร้อนอย่างมากที่รอยต่อของไดโอด ส่งผลให้ไดโอดเสียหายหรือพังได้ แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้เราเรียกว่า แรงดันพังทลายอวาแลนซ์ (Avalance Breakdown Voltage) ดังนั้น การนำไดโอดไปใช้งานจึงใช้กับการไบอัสตรงเท่านั้น

... ผลกระทบของอุณหภูมิ

จากการทดลองพบว่า Is ของ Si จะมีค่าเพิ่มขึ้นเกือบ 2 เท่า ทุกๆ ครั้งที่อุณหภูมิเพิ่มขึ้น 10 องศาเซลเซียส ขณะที่ Ge มีค่า Is เป็น 1 หรือ 2 ไมโครแอมป์ ที่ 25 องศาเซลเซียส แต่ที่ 100 องศาเซลเซียสจะมีค่า Is เพิ่มขึ้นเป็น 100 micro-amp ระดับกระแสไฟฟ้าขนาดนี้จะเป็นปัญหาต่อการเปิดวงจรเรื่องจากได้รับการไบอัสกลับ เพราะแทนที่ Id จะมีค่าใกล้เคียงศูนย์ แต่กลับนำกระแสได้จำนวนหนึ่งตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น

... " ตัวเก็บประจุ "....

..."ตัวเก็บประจุ"...

...ตัวเก็บประจุหรือคาปาซิเตอร์ (Capacitor) ใช้อักษรย่อ "c" เป็นอุปกรณ์ทางไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ที่มีคุณสมบัติในการทำงาน เป็นตัวเก็บประจุไฟฟ้าและศักย์ไฟฟ้าไว้ในตัวได้ โดยอาศัยคุณสมบัติของประจุไฟฟ้าและศักย์ไฟฟ้าที่ว่าศักย์ไฟฟ้าต่างกันจะดูดกัน เมื่อนำแผ่นโลหะบาง 2 แผ่นมาวางใกล้กัน พร้อมกับจ่ายศักย์ไฟฟ้าให้แผ่นทั้ง 2 ต่างศักย์กัน จะเกิดเส้นแรงไฟฟ้าจากศักย์ไฟฟ้าทั้ง 2 แผ่นโลหะดึงดูดกัน การดึงดูดของศักย์ไฟฟ้าจากแผ่นดลหะทั้ง 2 แผ่น ยังคงมีต่อเนื่อง ถึงแม้งดจ่ายศักย์ไฟฟ้าให้แผ่นโลหะทั้ง 2 แล้วก็ตาม คุณสมบัติดังกล่าวจึงเรียกแผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่นที่อยู่ใกล้กันนี้ว่า "ตัวเก็บประจุ" ลักษณะประจุไฟฟ้าของแผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่น ขณะก่อนการประจุ และขณะหลังการประจุ

ตัวเก็บประจุประกอบด้วยแผ่นโลหะบาง 2 แผ่น ซึ่งอาจเรียกว่าแผ่นตัวนำ (Conductive Plate) วางขนานกัน มีฉนวนไฟฟ้าที่เรียกว่าไดอิเล้กดริก (Dieletric) วางคั่นกลางแผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่น ที่แผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่น มีลวดตัวนำต่อติดไว้แผ่นละเส้นใช้เป็นขั้วต่อใช้งาน ลักษณะโครงสร้างและสัญลักษณ์ของตัวเก็บประจุ

การเก็บประจุ (Charge) ของตัวเก็บประจุ คือ การเก็บสะสมประจุไฟฟฟ้าและศักย์ไฟฟ้าไว้ในตัวเก็บประจุ โดยการจ่ายแรงดันผ่านลวดตัวนำไปให้แผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่น ทำให้เกิดการประจุขึ้น

การคายประจุ (Discharge) ของตัวเก็บประจุคือการที่ตัวเก็บประจุเริ่มปล่อยให้มีการเคลื่อนที่เข้าหากันของประจุไฟฟ้าต่างชนิดกัน ส่งผลให้ศักย์ไฟฟ้าในตัวเก็บประจุลดลงจนหมดเกิดการสมดุลของศักย์ไฟฟ้าในแผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่นของตัวเก็บประจุ

..." ความจุของตัวเก็บประจุ "...

ค่าความจุ (Capacitance) ของตัวเก็บประจุ คือ ค่าความสามารถในการเก็บสะสมประจุไฟฟ้าไว่ฃ้ในตัวเก็บประจุได้น้อยหรือมาก ค่าความจุนี้เปลี่ยนแปลงได้ขึ้นอยู่กับส่วนประกอบสำคัญ 3 ส่วน ดังนี้

1) ระยะห่างของแผ่นโลหะทั้งสอง

2) พื้นที่ผิวของแผ่นโลหะทั้งสอง

3) ชนิดของวัสดุที่ใช้ทำฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะ

1. ระยะห่างของแผ่นโลหะทั้งสอง

ระยะห่าของแผ่นโลหะทั้งอง มีผลต่อค่าความจุของตัวเก็บประจุ เพราะระยะห่างของแผ่นโลหะทั้งสองมีผลต อำนาจการดึงดูดของประจุไฟฟ้าระหว่างแผ่นโลหะทั้งสอง วางแผ่นโลหะทั้งสองใกล้กันอำนาจการดึงดูดของไฟฟ้าจะมาก เกิดความต่างศักย์ของศักย์ไฟฟ้ามากคือมีความจุมาก และเมื่อวางแผ่นโลหะทั้งสองห่างกันอำนาจการดึงดูดของประจุไฟฟ้าน้อยลง เกิดความต่างศักย์ของศักย์ไฟฟ้าน้อยลง คือมีความจุน้อย ในเมื่อขนาดพื้นที่ผิวของแผ่นโลหะในตัวเก็บประจุ 2 ตัวนี้เท่ากัน ซึ่งกล่าวโดยสรุปได้ว่า แผ่นโลหะทั้งสองวางชิดกันจะมีความจุมาก และแผ่นโลหะทั้งสองวางห่างกันและมีความจุน้อย

2. พื้นที่ของผิวโลหะทั้งสอง

พื้นที่ผิวของโลหะทั้งสอง เป็นตัวกำหนดขนาดของค่าความจุในตัวเก็บประจุ ว่าสามารถเก็บสะสมประจุลงในแผ่นดลหะจำนวนมาก ความจุมาก แผ่นโลหะมีพื้นที่น้อย จำนวนประจุไฟฟ้าที่ประจุลงในแผ่นโลหะมีจำวนวนน้อย ความจุน้อย ในเมื่อระยะห่างของแผ่นดลหะทั้ง 2 ขนาดห่างเท่ากัน ซึ่งกล่าวโดยสรุปได้ว่า แผ่นโลหะมีพื้นที่ผิวมากจะมีความจุมาก และแผ่นโลหะมีพื้นที่ผิวน้อยจะมีความจุน้อย

3. ชนิดของวัสดุที่ใช้ทำฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะ

ชนิดของวัสดุที่นำมาใช้ทำฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะ วัสดุต่างชนิดกันจะมีคุณสมบัติในการเป็นฉนวนต่อประจุไฟฟ้าแตกต่างกัน เมื่อนำมาใช้งานเป็นฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะยอมมีผลต่อความจุที่เกิดขึ้นในตัวเก็บประจุแตกต่างกัน การเปรียบเทียบทำโดยนำแผ่นโลหะทั้ง 2 แผ่นวางห่างกันในระยะคงที่ค่างหนึ่ง นำฉนวนที่แตกต่างกันมาเนฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะ การเปรียบเทียบนี้เปรียบเทียบกับฉนวนที่เป็นอากาศ ซึ่งมีค่าคงที่ความเป็นฉนวนหรือเรียกว่าค่าคงที่ไดเล็กตริก (Dielectric Constant) เท่ากับ 1 ในแนวนอื่นๆ ทีนำมาเปรียบเทียบมีค่าคงที่ความเป็นฉนวนแตกต่างกันไป

..." ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ "...

ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ เป็นตัวเก็บประจุที่มีค่าคงที่ตายตัว ตัวเก็บประจุแบบนี้ถูกผลิตขึ้นมาใช้งานหลายชนิด แต่ละชนิดที่ผลิตใช้งานจะใช้วัสดุที่เป็นฉนวนแตกต่างกันการเรียกชื่อตัวเก็บประจุ เรียกตามชื่อชนิดของวัสดุที่ใช้ทำเป็นฉนวน มีดังนี้

1) ตัวเก็บประจุชนิดไมก้า (Mica Capacitor)

2) ตัวเก็บประจุชนิดกระดาษ (Paper Capacitor)

3) ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก (Ceramic Capacitor)

4) ตัวเก็บประจุชนิดฟิล์มพลาสติก (Plastic Film Capacitor)

5) ตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลัม (Tantalum Capacitor)

6) ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลติก (Electrolytic Capacitor)

1. ตัวเก็บประจุชนิดไมก้า

ตัวเก็บประจุชนิดไมก้า เป็นตัวเก็บประจุที่ใช้แผ่นโลหะบางๆ หลายๆ แผ่นซ้อนกัน และแผ่นโลหะบางถูกคั่นด้วยฉนวนไมก้า ต่อเชื่อมแผ่นโลหะออกเป็น 2 ชุด พร้อมต่อขาด้วยลวดตัวนำออกมาใช้งาน ตัวเก็บประจุแบบไมก้ายังแบ่งย่อยได้เป็น แผ่นโลหะบางแบบอลูมิเนียม (Aluminium Foil) และแผ่นโลหะบางแบบฟิล์มเงิน (Sliver Films) ไมก้าเป็นฉนวนที่ดีทำให้ตัวเก็บประจุชนิดนี้สามารถสร้างสามารถสร้างให้ทนแรงดันไฟฟ้าได้สูงมากขึ้น

2. ตัวเก็บประจุชนิดกระดาษ

ตัวเก็บประจุชนิดกระดาษ เป็นตัวเก็บประจุที่ใช้แนวนคั่นกลางแผ่นโลหะบางทั้งสองเป็นพวกแผ่นกระดาษที่เคลือบสารที่ ขาลวดตัวนำถูกต่อออกมาใช้งานจากแผ่นบางทั้งโลหะทั้งสอง แผ่นละขา ต่อออกมาเป็นขาใช้งาน ตัวถังด้านนอกสุดหุ้มด้วยกระดาษแข็ง พลาสติก หรือโลหะพวกอะลูมิเนียมลักษณะตัวเก็บประจุชนิดกระดาษ

3. ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก เป็นตัวเก็บประจุที่ใช้ฉนวนคั่นกลางแผ่นโลหะบางทั้งสองเป็นพวกวัสดุเซรามิก เซรามิกทำมาจากดินเหนียวผสมด้วยสารพวกติตาเนียมไดออกไซด์ (Titanium Dioxide) นำไปเผาที่ความร้อนสูงๆ ทำให้ได้เซรามิกที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูงมาก แผ่นโลหะตัวนำจะใช้เงินเคลือบบนผิวเซรามิก ทำให้ตัวเก็บชนิดนี้มีค่าความจุสูงแต่มีขนาดเล็กลง ผิวด้านนอกหุ้มด้วยพลาสติกหรือซิลิโคน

4. ตัวเก็บประจุชนิดฟิล์มพลาสติก

ตัวเก็บประจุชนิดฟิล์มพลาสติก ถูกพัฒนาขึ้นมาแทนตัวเก็บประจุแบบกระดาษ มีโครงสร้างคล้ายกับตัวเก็บประจุแบบกระดาษ เพียงแต่เปลี่ยนฉนวนคั่นแผ่นโลหะตัวนำเป็นพวกฟิล์มพลาสติก ฟิล์มพลาสติกที่ใช้ทำมาจากวัสดุหลายประเภท เช่น ไมลาร์ (Mylar) โพลีเอสเตอร์ (Polyester) โพลีสไตรีน (Polystyrene) และโพลีคาร์บอเนต (Polycarbonate) โพลีสไตรีน (Polystyrene) โพลีโพรไพลีน (Polypropyrene) และโพลีคาร์บอเนต(Polycarbonete) เ็นต้น การเรียกชื่อตัวเก็บประจุชนิดฟิล์มพลาสติกจะเรียกชื่อตามชนิดฉนวนที่ใช้คั่นชื่อกลาง

ตัวเก็บประจุมีการพิมพ์ตัวอักษรภาษาอังกฤษ2-3 ตัวกำกับไว้ที่ส่วนใดส่วนหนึ่งของเปลือกหุ้มตัวเก็บประจุ เพื่อบอกค่าความผิดพลาดและที่ตัวอักษรตัวสุดท้ายจะใช้บอกถึงเป็นต้น ตัวอักษรตัวท้ายแต่ละตัวมีความหมาายดังนี้

MKT = T ตัวสุดท้ายเป็นฉนวนประเภทโพลีเอสเตอร์

MKP, KP = P ตัวท้ายเป็นฉนวนประเภทโพรลีไพลีน

MKS, FKC, TSC = C ตัวท้ายเป็นฉนวนประเภทโพลีคาร์บอเนต

MKS, FKS, KS = S ตัวท้ายเป็นฉนวนประเภทโพลีสไตรีน

ข้อดีของตัวเก็บประจุชนิดฟิล์มพลาสติก คือ คุณสมบัติของฉนวนดีกว่ากระดาษมากมีความหนาแน่นของค่าความจุสูง ความผิดพลาดต่ำ และมีอายุกาใช้งานนานขึ้น อุณหภูมิมีผลต่อการทำให้ค่าความจุเปลี่ยนแปลงน้อยมาก มีความผิดพลาดของค่าความจุต่ำเพียงไม่เกิน +_ 2.5 - 5% การนำไปใช้งานนิยมนำไปใช้ในวงจรที่ต้องการความเที่ยงตรงสูง มีความแน่นอนสูง ใช้งานได้ดีในย่านความถี่สูง แต่มีราคาค่อนข้างแพง

5. ตัวเก็บประจนิดแทนทาลัม

ตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลัม เป็นตัวเก็บประจุที่มีขนาดเล็กแต่มีค่าความจุสูงโครงสร้างของตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลัม ประกอบด้ยแผ่นโลหะบางของแทนทาลัมเคลือบแผ่นโลหะแทนทาลัมด้วยฉนวนที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง เช่น พวกนิมแทนทาลัมหรือแทนทาลัมออกไซด์ (Tantalum Oxside) และเคลือบด้วยสารอิเล็กโตรไลต์เพื่อคั่นกลางแผ่นโลหะแทนทาลัมอีกชั้น ขาลวดตัวนำถูกต่อออกมาจากแผ่นโลหะแทนทาลัม ผิวด้านนอกสุดของตัวเก็บประจุถูกเคลือบด้วยสารประเภทพลาสติก

ข้อดี ของตัวเก็บประจุชนิดแทนทาลัม คือ ทนทานต่อการใช้งาน ทนต่ออุณหภูมิและความชื้น ไม่เกิดกระแสรั่วไหลขณะนำไปใช้งาน แต่มีอัตราแรงดันต่ำ

6. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลติก

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลติก เ๋ป็นตัวเก็บประุจุชนิดที่สามารถสร้างให้มีค่าความจุสูงๆ ได้ โครงสร้างของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลติก ประกอบด้วยแผ่นอะลูมิเนียมบางทำเป็นขั้วบวก (+) ขั้วลบ (-) ของตัวเก็บประจุ จุ่มอยู่ในน้ำยาเคมีที่เป็นสารละลายอิเล็กโตรไลต์ทำหน้าที่เป็นฉนวนคั่นกลาง ได้แก่ โบแรค (Borax) คาร์บอเนต (Carbonate) หรือฟอสเฟต (Phosphate) ในทางปฏิบัติจะใช้วิธีนำแผ่นอลูมิเนียมบางมาจุ่มสารอิเล็กโตรไลต์ให้เปียกชุ่ม จากนั้นม้วนเข้าด้วยกันใ้ห้เป็นทรงกระบอกและบรรจุลงในกระป๋องโลหะหรือกระป๋องอะลูมิเนียมตอนกลางมีขั้วเป็นบวก ตอนนอกที่ติดกระป๋องทำหน้าที่เป็นขั้วลบของตัวเก็บประจุ ทำการปิดฝาให้สนิท ระหว่างการผลิตต้องป้อนแรงดันไฟตรงให้ขั้วทั้งสองของตัวเก็บประจุ ทำปฏิกิริยาทางอิเล็กโตรไลซิสทำให่เกิดการแยกตัวทางไฟฟ้าขึ้นมา ทางขั้วบวกของตัวเก็บประจุเกิดฟิล์มของอะลูมิเนียมออกไซด์ (Aluminum Oxide) ขึ้นรอบแผ่นอะลูมิเนียมบางแผ่นบวก เป็ฯฉนวนบางคั่นระหว่าแผ่นอะลูมิเนียมบางขั้วบวกให้แยกออกจากขั้วลบของตัวเก็บประจุ

เนื่องจากฟิล์มของอะลูมิเนียมออกไซด์มีขนาดบางมาก ทำให้สามารถสร้างตัวเก็บประจุชนิดนีให้มีค่าความจุสูงยิ่งขึ้นในขนาดที่เล็กลง

ข้อเสีย ของตัวเก็บประจุชนิดนี้คือเมื่อใช้กับแรงดันไฟตรง ต้องต่อขั้วตัวเก็บประจุให้ตรงกับขั้วของแหล่งจ่ายแรงดันไฟตรง หากต่อขั้วผิด ตัวเก็บประจุแบบนี้จะหมดค่าความจุ ยังทำให้เกิดแก๊สและความร้อนจนระเบิดขึ้นมาได นอกจากนั้น ตัวเก็บ ประจุแบบนี้มีค่ากระแสรั่วไหล (Leakage Current) ที่ไหลผ่านฉนวนได้สูง

... "ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้"...

ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ (Variable Capacitor) คือตัวเก็บประจุที่สามารถปรับเปลี่ยนค่าความจุให้มากขึ้นหรือน้อยลงได้ ส่วนประกอบของตัวเก็บประจุชนิดนี้ประกอบชุดแผ่นโลหะ 2 ชุด ชุดหนึ่งแผ่นโลหะถูกยึดติดอยู่กับที่เรียกว่าชุดสเตเตอร์ (Stator) อีกชุดหนึ่งสามารถหมุนเคลื่อนที่ได้เรียกว่า ชุดโรเตอร์ (Rotor) ฉนวนที่ใช้คั่นกลางแผ่นโลหะ 2 ชุดมีหลายชนิด เช่น อากาส, พลาสติก หรือไมก้า เป็นต้น

ค่าความจุของตัวเก็บประจุชนิดนี้ ขึ้นอยู่กับการปรับหมุนชุดโรเตอร์ ถ้าชุดหมุนโรเตอร์ซ้อนกับชุดหมุนสเตเตอร์อย่างสนิท ตัวเก็บประจุจะมีค่าความจุสูงสุดเมื่อค่อยๆ ปรับหมุนให้ชุดโรเตอร์ออกห่างจากชุดสเตเตอร์ ค่าความจุของตัวเก็บประจุจะ่ค่อยๆ ลดลง และเมื่อชุดโรเตอร์ไม่ซ้อนกับชุดสเตเตอร์เลย ค่าความจุของตัวเก็บประจุจะต่ำที่สุด ตัวเก็บประจุชนิดนี้เรียกว่าตัวเก็บประจุแบบวาริเอเบิล

ตัวเก็บประจุชนิดนี้ ใช้งานในย่านค่าความถี่สูงๆ เช่น ใช้เป็นวงจรปรับหาคลื่นสถานีวิทยุในความถี่ต่างๆ ลักษณะตัวเก้บประจุแบนี้อาจมีุชุดเดียวหรือมีหลายชุด แต่ละชุดเรียกว่าแก็ง (Gang) เช่น มี 1 ชุด เรียกว่า 1 แก็ง มี 2 ชุด เรียกว่า 2 แก็ง หรือมี 3 ชุด เรียกว่า 3 แก็ง เป็นต้น

นอกจากตัวเก็บประุชนิดวารเอเบิล ยังมีตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้อีกลักษณะหนึ่ง เป็นตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ขนาดเล็ก มีค่าความจุน้อยๆ มีชุดสเตเตอร์ และชุดโรเตอร์ อย่างละ 1 แผ่น เรียกว่า ทริมเมอร์ (Trimmer) ฉนวนที่ใช้คั่นกลางแผ่นโลหะ อาจใช้แผ่นไมก้าหรือแผ่นพลาสติก ส่วนตัวถังของทริมเมอร์อาจเป็นพลาสติก หรือเซรามิก

... "หน่วยความจุและค่าทนแรงดัน" ...

ตัวเก็บประจุมีค่าความจุแตกต่างกันไป ตั้งแต่ค่าต่ำๆ ไปถึงค่าสูๆ หน่วยมาตรฐานของตัวเก็บประจุแสดงค่าความจุไว้เป็ญฟารัด (Farad ; F) ซึ่งเป็นหน่วยที่ใหญ่เกินไป เพราะค่าความจุที่ใช้งานมีค่าต่ำกว่าค่ามาตรฐาน จึงได้แตกเป็นหน่วยย่อยลงมาเป็นไมโครฟารัด (Microfarad ;µF ) นาโนฟารัด (Nanofaerad ;nF) และพิโคฟารัด (Picrofarad ;pF) สามารถเขียนความสัมพันธ์ต่างๆ ได้ดังนี้

1 ฟารัด (F) = 1,000,000 ไมโครฟารัด (µF) = 1 × 10⁶ µF

= 1,000,000,000 นาโนฟารัด (nF) = 1 × 10⁹ nF

= 1,000,000,000,000 พิโครฟารัด (pF) = 1 × 10¹² pF

1 ไมโครฟารัด (µF) = 1 × 10^-6 F = 1 × 10^-3 nF = 1 × 10⁶ pF

1 นาโนฟารัด (nF) = 1 × 10^-9 F = 1 × 10^-3 µF = 1 × 10³ pF

1 พิโครฟารัด (pF) = 1 × 10^-12 F = 1 × 10^-6 µF = 1 × 10^-3 nF

ค่าทนแรงดันของตัวเก็บประจุมักแสดงรวมอยู่ด้วยกับตัวเก็บประจุ ใช้บอกถึงค่าการทนแรงดันได้ของตัวเก็บประจุนั้น การนำตัวเก็บประจุไปใช้งานต้องคำนึงถึงค่าทนแรงดันในตัวเก็บประจุด้วย เพราะค่าแรงดันที่แสดงไว้เป็นการแสดงให้ทราบว่าตัวเก็บประจุตัวนั้นสามารถนำไปใช้กับแรงดันมากที่สุดเท่าไร แรงดันที่จ่ายมาตกคร่อมตัวเก็ฐประจุต้องมีค่าไม่เกินกว่าค่าทนแรงดันที่แสดงไว้กับตัวเก็บประจุ หากค่าแรงดันที่ป้อนให้มากเิกินกว่าค่าทนแรงที่แสดงไว้ตัเก็บประจุจะชำรุดเสียหายหมดสภาพการเป็นตัวเก็บประจุ ค่าทนแรงดันของตัวเก็บประจุแสดงไว้เป็น โวลต์ (V) จะแสดงค่าแรงดันไว้ในลักษณะที่แตกต่างกันไป เช่น เป็นแรงดันไฟตรง (DC Voltage ; VDC) เป็นแรงดันทำงาน (Working Volage ; WV) หรือเป็นแรงดันทดสอบ (Testing Voltage ; TV) เป็นต้น การเลือกตัวเก็บประจุมาใ้ช้งาน ต้องเลือกค่าทนแรงดันของตัวเก็บประจุให้มากว่าค่าแรงดันที่ใช้งานจริงเสมอ เพื่อความทนทานในการใช้งาน และเกิดความปลอดภัยกับตัวเก็บประจุ

..." การอ่านค่าความจุแสดงเป็นตัวเลขตัวอักษร "...

ตัวเก็บประจุทุกตัวต้องมีค่าความจุ ค่าทนแรงดัน และค่าความผิดพลาดกำกับไว้ที่ตัวเสมอ เพื่อให้ผู้ใช้สามารถเลือกใช้ค่าได้ถูกต้อง การแสดงค่าวิธีหนึ่งคือการแสดงค่าความจุไว้เป็นตัวเลขตัวอักษรรวมกัน แบ่งการแสดงค่าได้ 2 แบบ คือ แบบแสดงค่าความจุออกมาดดยตรง และแบบแสดงค่าความจุออกมาเป็นรหัส

1. แบบแสดงค่าออกมาโดยตรง

ตัวเก็ยประจุที่แสดงค่าออกมาโดยตรง มักพิมพ์ค่าความจุที่อ่านได้โดยตรง บนตัวเก็บประจุมีค่าความจุเป็นพิโคฟารัด (pF) และไมโครฟารัด (µF) ตัวเก็บประจุบางตัวมีหน่วยบอกไว้ บางตัวบอกไว้เฉพาะตัวเลขค่าความจุเท่านั้น ตัวเก็บประจุตัวเล็กที่มีค่าความจุต่ำไม่นิยมบอกหน่วยไว้ การทราบว่ามีหน่วยเป็น pF หรือ µF ให้สังเกตจากตัวเลขที่เขียนไว้ ถ้าตัวเลขที่เขียนไว้มีค่าตั้งแต่ 1 ขึ้นไป เช่น 1, 2.2, 5, 10, 12, 33, 47, 100 เป็นต้น จะมีหน่วยเป็น pF และถ้าตัวเลขนั้นมีค่าน้อยกว่าเลข 1 ลงมา เช่น 0.01, 0.022, 0.068, 0.15, 0.33, 0.68, เป็นต้น จะมีหน่วยเป็นµF

เปอร็เซ็นต์ค่าผิดพลาดนิยมบอกไว้ใน 2 แบบ คือ แบบหนึ่งบอกค่าไว้เป็นเปอร์เซ็นต์ผิดพลาดโดยตรง เช่น 1%, 2%, 10%, 20% เป็นต้น อีกแบบหนึ่งบอกค่าไว้เป็นตัวอักษรภาษาอังกฤษ เช่น D, F, G, K, L, M เป็นต้น ตัวอักษรที่กำกับไว้มีค่าเปอร์เซ็นต์ผิดพลาด

2. แบบแสดงค่าออกมาเป็นรหัสตัวเลขอักษร

ตัวเก็บประจุบางแบบถึงแม้มีตัวเลขตัวอักษรกำกับไว้บนตัวเก็บประจุนั้นๆ ก็ไม่สามารถอ่านค่าออกมาได้โดยตรง เพราะตัวเลขตัวอักษรที่แสดงไว้อยู่ในรูปรหัส การอ่านค่ามีวิธีการที่แตกต่างกันออกไป รหัสค่าความจุมักเป็นตัวเลข 3 ตัว เขียนเรียงกัน และอาจตามด้วยตัวอักษร 1 ตัวเพื่อแสดงค่าความผิดพลาดความจุ ตัวเลขที่แสดงไว้ไม่เป็นทศนิยม ไม่ขึ้นต้นด้วยเลขศูย์ นิยมใช้แสดงค่ากับตัวเก็บประจุตัวเล็กค่าความจุ

การอ่านค่าความจุ อ่าจากซ้ายมือไปขวามือ ตัวเลข 2 ตัวแรกทางด้านซ้ายอ่านออกมาได้โดยตรงตัวเลขตัวที่ 3 เป็นตัวเลขแสดงจำนวนเลขศูนย์ที่ต้องเติมเข้าไป อ่านค่าออกมาเป็นหน่วย pF

... " ตัวต้านทานไฟฟ้า

..."ตัวต้านทานไฟฟ้า ( Resistor )"...

...."ตัวต้านทานไฟฟ้า" คือ อุปกรณ์ที่นักวิทยาศาสตร์ประดิษฐ์ขึ้นมาเพื่อต่อร่วมกับวงจรเพื่อบังคับให้กระแสไฟฟ้าในวงจรเปลี่ยนแปลงตามต้องการ ทำจากวัสดุที่ปล่อยให้อิเล็กตรอนหลุดจากตัวมันได้น้อย ตัวต้านทานไฟฟ้ามีหน่วยเป็น โอห์ม ( Ohm ) ซึ่งเป็นนามของ George Simon Ohm

ตัวต้านทานหรือ รีซีสเตอร์ มีการผลิตออกมาหลายแบบหลักการต่อไปนี้คือนำเอาค่าความต้านทานเป็นหลักสามารถแบ่งออกได้ 3 แบบ คือ

1. แบ่งตามลักษณะการใช้งาน

1. ชนิดค่าคงที่ ( Fixed Resistor ) เป็นตัวต้านทานที่มีความต้านทานคงที่ โดยจะกำหนดค่าความต้านทานเป็นรหัส เช่น ตัวเลขโค๊ตสี จะพบเห็นได้ในวงจรทั่วไป

ตัวต้านทานชนิดคงที่

2. ชนิดปรับค่าได้ (Adjustable Rersistor) หรือรีซีสเตอร์แบบ (Tap Resistor) เป็นตัวต้านทานที่ใช้กับงานที่มีกำลังวัตต์สูงๆ และงานที่ต้องการเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานอยู่บ่อยๆสามารถเลือกค่าได้ค่าหนึ่ง โดยปกติจะมี 1 ขั้ว หรือมากกว่านั้นแยกออกมาเพื่อเลือกนำไปใช้งานเพื่อให้การทำงานเป็นไปตามวัตถุประสงค์

3. ชนิดเปลี่ยนแปลงค่าได้ (Variable Resistor) เป็นตัวต้านทานที่สามารถปรับค่าความต้านทานได้อย่างต่อเนื่องในช่วงค่าความต้านทานที่กำหนดไว้ จะใช้ในงานที่ต้องการปรับค่าความต้านทานบ่อยๆ ตัวต้านทานชนิดนี้จะมีหน้าคอนแท็คสำหรับใช้ในการหมุนเลื่อนหน้าคอนแท็ค

แสดงภาพตัวต้านทานแบบเปลี่ยนแปลงค่าได้

ในการปรับค่าความต้านทานโดยมีแกนยื่นออกมาเพื่อใช้สำหรับหมุนปรับค่า อย่างเช่น วอลุ่มเร่งเสียงแบบธรรมดา หรือ แบบสไลด์ อีกแบบหนึ่งไม่มีแกนหมุนเราเรียกกันว่า วอลุ่มเกือกม้า หรือ Trimpot วาริเอเบิ้ลรีซีสเตอร์ อาจจะทำมาจาก คาร์บอน เซอร์เมท (เซรามิกผสมเงิน) หรือพลาสติกตัวนำ ตัวต้านทานชนิดนี้จะแบ่งเป็น 2 ชนิด คือ

1. โพเทนชิโอมิเตอร์ (Potentiometer) ตัวต้านทานชนิดนี้ส่วนใหญ่จะมีหน้าสัมผัสเป็นแบบถ่าน (carbon) ดังนั้นจะใช้กับงานที่มีกระแสน้อยๆ เช่น เป็นตัวควบคุมระดับความดังของเสียง

แสดงการต่อใช้งานของตัวต้านทานปรับค่าได้ แบบ Potentiometer

2.รีโอสตัส (Reostat) ตัวต้านทานชนิดนี้จะมีหน้าสัมผัสเป็นแบบลวดพัน ดังนั้น จึงใช้กับงานที่มีกระแสมากๆ เช่น ใช้ปรับกระแส หรือแรงดันในเครื่องแหล่งจ่ายไฟ

แสดงการต่อตัวต้านทานชนิดปรับค่าได้แบบรีโอสตัส

2. ชนิดพิเศษ (Special Resistor) เป็นตัวต้านทานที่มีลักษณะพิเศษสามารถแบ่งได้เป็น 2 ชนิด คือเปลี่ยนตามอุณหภูมิ (Thermistor) ตัวต้านทานชนิดนี้ค่าความต้านทานจะเปลี่ยนแปลงไป ส่วนใหญ่จะใช้สำหรับชดเชยการเปลี่ยนแปลงต่ออุณหภูมิ ของวงจร หรือ ใช้เป็นตัวเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิให้เป็นสัญญาณทางไฟฟ้า

สัญลักษณ์ตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนค่าได้ตามอุณหภูมิ

เปลี่ยนตามความสว่าง (Light Dependent Resistor –LDR) ตัวต้านทานชนิดนี้ เป็นตัวต้านทานที่ไวต่อแสง โดยค่าความต้านทานจะลดลง เมื่อความเข้มของแสงที่ตกกระทบมีค่ามากส่วนใหญ่จะใช้เป็นตัวเปลี่ยนแปลงความเข้มของแสงให้เป็นสัญญาณทางไฟฟ้า

แสดงสัญลักษณ์ของตัวต้านทานชนิดเปลี่ยนแปลงค่าตามความเข้มของแสง

2. แบ่งตามวัสดุที่ใช้ทำ

1. แบบถ่าน (Carbon Composition Resistor) ตัวต้านทานชนิดนี้ทำมาจากผงคาร์บอน โดยนำมาอัดให้เป็นแท่งแล้วหุ้มตัวถังด้วยฉนวน โดยปกติจะมีค่าความต้านทานตั้งแต่ค่าต่ำๆ จนถึงค่า 20MW และมีค่าทนกำลังงานขนาด 1/8,1/4,1/2 , 1 และ 2 วัตต์ ตัวต้านทานแบบนี้ถ้ากำลังวัตต์ต่ำตัวต้านทานจะมีขนาดเล็กและถ้ากำลังวัตต์มากตัวต้านทานก็จะมีขนาดใหญ่

ตัวต้านทานชนิดนี้ทำมาจากผงคาร์บอน

2.แบบลวดพัน (Wire Wound Resistor) แบบลวดพันนี้จะพบมากในตัวต้านทานชนิดค่าคงที่ ซึ่งเป็นส่วนผสมจาก นิกเกิล-โครเมียม (Nikel – Cromium) หรือส่วนผสมจากทองแดง - นิกเกิล(Copper-Nikel) ลวดนี้จะพันรอบแกนฉนวนที่ทำจากเซรามิค แล้วเคลือบด้วยฉนวนอีกทีหนึ่ง ตัวต้านทานชนิดนี้ จะใช้ความยาวของขดลวด และค่าความต้านทานจำเพาะเป็นตัวกำหนดค่าความต้านทาน โดยจะมีค่าตั้งแต่เศษส่วนของโอห์มจนถึงหลายพันโอห์ม และมีกำลังตั้งแต่ 3 วัตต์ จนถึงหลายพันวัตต์ ดังนั้นส่วนใหญ่จะพบมากในตัวต้านทานชนิดเลือกค่าได้ และจะใช้งานในงานที่มีกระแสสูงๆ และทนกำลังงานได้สูง

แบบลวดพัน

3. แบบฟิล์ม (Film Type Resistor) ตัวต้านทานชนิดนี้จะทำจากฟิล์มบางๆ ของแก้วและโลหะหลอมเข้าด้วยกัน แล้วนำไปเคลือบแกนที่ทำมาจากผลึกของเซรามิค และให้ค่าความต้านทานอยู่ในช่วงเดียวกับตัวต้านทานแบบถ่าน จะเห็นได้ว่า คุณสมบัติความหนาของฟิล์มบางๆ ที่เป็นสิ่งที่ควบคุมได้ง่าย ดังนั้น ค่าความต้านทานที่ได้จึงมีค่าแน่นอนมาก ไม่เหมือนกับแบบถ่าน เพราะจะควบคุมที่ส่วนผสมของถ่านคาร์บอนจึงทำให้ค่าความต้านทานไม่แน่นอน ดังนั้น ตัวต้านทานชนิดฟิล์มนี้จึงมีเปอร์เซนต์ความผิดพลาดต่ำซึ่งจะนำไปใช้งานทางเครื่องมีอวัดทางไฟฟ้าต่างๆ

ตัวต้านทานทำจากฟิล์ม